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2025-08-15 16:10
irm1347477：恭喜公司顺利复产，请问公司停产期间，是否将晶体乙醛酸库存处理完毕？做到轻装上阵？
国林科技：尊敬的投资者，您好。具体经营情况请您关注公司定期报告。感谢您的关注。
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2025-08-15 16:04
irm1347477：公司在2024年报中提到公司的半导体设备已经在国内晶圆芯片终端（fab）厂正式投入使用，请问是否属实？是国内头部的fab厂吗？
国林科技：尊敬的投资者，您好。公司相关情况请您以公司于指定信息披露媒体刊登的公告为准。感谢您的关注。
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2025-08-15 15:55
irm1347477：相比传统等离子蚀刻，臭氧蚀刻对基材损伤更小，适用于高精度图形化工艺。减少热应力，避免第三代半导体材料（如碳化硅）因高温导致的晶格缺陷。公司到底有没有蚀刻工艺的臭氧设备？能否用于第三代半导体制造？
国林科技：尊敬的投资者，您好。公司现有半导体专用臭氧系统设备可以应用于蚀刻工艺、第三代半导体生产工艺。感谢您的关注。
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2025-08-15 15:55
irm1347477：美国mks官网上显示其最先进的半导体臭氧发生器产生的臭氧纯度为99.9995％，即6N水准。该产品已用于台积电3nm芯片生产线。请问公司的同类型半导体臭氧发生器的臭氧纯度为多少？是多少N的水准？能否达到同样3nm芯片生产的要求？
国林科技：尊敬的投资者，您好。纯度指的是浓度，用mg/L单位来表示，99.9995%属于描述不符。感谢您的关注。
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2025-08-15 15:55
irm1347477：pcn印刷电路板，在焊接、组装等工艺后，表面可能会残留助焊剂、油污等。臭氧可以快速有效清洗这些污物。请问公司的臭氧设备能否满足pcb印刷电路板的清洗？
国林科技：尊敬的投资者，您好。国林半导体现有产品具备广泛的应用适应性，能够满足各类场合中臭氧清洗的需求。感谢您的关注。
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2025-08-15 15:55
irm1347477：某国内半导体臭氧设备厂商宣称其设备产生的超纯臭氧气体纯度达99.9995%，即5N水准。请问公司的臭氧设备能产生的半导体级超纯臭氧气体纯度为多少？二氧化碳设备产生的半导体级二氧化碳气体纯度为多少？
国林科技：尊敬的投资者，您好。纯度指的是浓度，用mg/L单位来表示。99.9995%属于描述不符。感谢您的关注。
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2025-08-15 15:54
irm1347477：目前臭氧水清洗成为3nm以下先进制程的优选方案。目前国际东京电子（TEL）实验显示，臭氧水对EUV 光刻胶的去除率比硫酸﹣双氧水混合液(SPM）高20%，且无硫残留。台积电在3nm制程中采用臭氧水预处理，使晶圆缺陷密度降低15%。ASML的混合工艺：臭氧水+兆声波（Megasonic）协同清洗，减少物理损伤。请问公司是否了解上述行业发展？公司能否介绍一下臭氧水在3nm以下制程的优势？
国林科技：尊敬的投资者，您好。臭氧水在3nm及以下先进制程中的优势主要体现在其高氧化性、清洁效率和环保特性上，能够满足半导体制造对精度、缺陷控制和材料兼容性的严苛要求。感谢您的关注。
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2025-08-15 15:54
irm1347477：公司正在开发紫外-臭氧联用设备，可分解光刻胶显影后的有机残留物，清洗效率比传统工艺提升40%。以及正在研发EUV光刻胶生产用的高纯度臭氧气体纯化系统，金属杂质含量<0.1ppt。以上信息是否属实？
国林科技：尊敬的投资者，您好。公司现有半导体专用臭氧系统设备可以满足工艺应用，具体产品研发情况请您以公司于指定信息披露媒体刊登的公告为准。感谢您的关注。
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2025-08-15 15:54
irm1347477：公司半导体设备产生的半导体级气体（臭氧、二氧化碳、氨气）能达到多少N的纯度？
国林科技：尊敬的投资者，您好。半导体设备产生的半导体级气体（臭氧、二氧化碳、氨气）无法用纯度标定，只能以洁净度或者浓度指标参数来描述。感谢您的关注。
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2025-08-15 15:54
irm1347477：目前国内商业航天发射进入高频期，经查阅资料，发现火箭试车及发射时，会产生大量的助推剂废水需要处理。请问目前，公司的臭氧法处理火箭助推剂，是比较好的选择吗？其优点在哪？目前公司的火箭客户还在使用公司的产品技术吗？
国林科技：尊敬的投资者，您好。火箭试车及发射过程中会产生大量废水，这类废水具有剧毒、成分复杂、致癌性强等特点，利用臭氧的强氧化性，可将水体中的大分子有机物氧化为小分子有机物，增强有机物的可生物降解性，提高处理工艺净化效率。臭氧氧化技术因其独特的优势，已成为处理火箭推进剂废水的重要方法之一。感谢您的关注。
