近年来，氮化镓作为“第三代半导体”代表性材料需求崛起，行业规模快速增长，发展潜力巨大。与此同时，全球氮化镓市场的竞争也日益激烈，海外巨头通过并购手段，快速入局；国内企业也积极完善产业链，参与到市场竞争中来。

成立于2017年的英诺赛科凭借其准确的市场定位、正确的商业模式选择、持续的创新以及坚定的信念等，经过7年的奋斗，终于发展成了全球氮化镓产业的龙头。

2024年，英诺赛科完成了E轮融资，投后估值达235亿元，成功跻身超级独角兽行列。目前，公司正计划赴港上市，有望进一步加速全球扩张和技术发展，继续引领氮化镓产业突破。

氮化镓需求崛起潜力巨大 各方蓄势待发竞争激烈

近年来，凭借高频、耐高压、耐高温和抗辐射等方面的优越性能，“第三代半导体”受到市场的广泛关注，并在新能源车、光伏、风电、5G通信等新兴技术领域中展现出巨大的应用潜力和市场需求。

其中，氮化镓作为“第三代半导体”的代表性材料，具有高频、电子迁移率高、辐射抗性强、导通电阻低、无反向恢复损耗等显著优势。氮化镓功率半导体芯片能够有效降低电源的能量损耗，提升能源转换效率，降低系统成本，并实现更小的设备尺寸，已成为功率半导体行业持续变革的核心。

随着氮化镓技术的成熟以及下游应用的逐步释放，氮化镓功率半导体行业迎来蓬勃的市场机遇。据弗若斯特沙利文数据，氮化镓功率半导体行业规模由2019年的1.394亿元人民币快速增长至2023年的18亿元人民币，复合年增长率为88.5%，占全球功率半导体市场的比例将提升至10.1%。同时，沙利文预测，后续将以98.5%的复合年增长率加速增长，由2024年的32.28亿元人民币增长至2028年的501.42亿元人民币。

这一产业趋势为全球氮化镓厂商带来了前所未有的发展机遇，面对其广阔的市场空间和巨大的增长潜力，业内厂商纷纷摩拳擦掌，或提升研发实力，或加码量产能力，激烈的行业竞争难以避免。

在此背景下，海外的老牌巨头也不免想把握这波增长机遇，则采用了更为快速的并购手段。2023年10月，英飞凌科技率先宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），并号称“成为领先的氮化镓龙头企业”。英飞凌表示，公司和GaN Systems在知识产权、对应用的深刻理解以及成熟的客户项目规划方面优势互补。

2024年7月，瑞萨电子宣布完成对氮化镓（GaN）全球领导者Transphorm的收购。随着收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产品和相关参考设计，以满足对宽带隙（WBG）半导体产品不断增长的需求。

在完成对Transphorm的收购的同一天，瑞萨电子推出了15种新的产品组合，这些产品是面向市场的参考设计，将新的GaN产品与瑞萨电子的嵌入式处理、电源、连接和模拟产品组合相结合。其中包括Transphorm为车载电池充电器集成的汽车级氮化镓技术的设计，以及用于电动汽车的三合一动力总成解决方案。

2024年7月，晶圆代工大厂Global Foundries宣布收购TagoreTechnology的功率GaN技术及知识产权组合。资料显示，Tagore Technology成立于2011年1月，专注开发用于射频(RF)和电源管理应用的硅基氮化镓(GaN-on-Si)半导体技术。根据收购协议，一支来自Tagore致力于开发GaN技术且经验丰富的工程师团队将加入Global Foundries。Global Foundries首席商务官Niels Anderskouv表示：“通过此次收购，Global Foundries向加速GaN的普及迈出了又一步，并能帮助我们的客户构建下一代电源管理解决方案，这些方案将重塑移动性、连接性和智能化的未来。”

国内氮化镓企业也在积极采取行动，不断完善自身氮化镓产业链，力图完成从衬底到外延到功率器件、射频器件、光电器件的全覆盖，以满足市场需求，把握商机。

面对海外巨头的围追堵截和国内同业的不断追赶，英诺赛科跨越重重阻碍，最终成长为了全球龙头，引领着全球氮化镓产业的变革和中国半导体产业的崛起。

坚定信念创新引领 开启崛起之路

成为全球龙头的这一路，英诺赛科走得并不容易。英诺赛科的成功与公司一开始准确的市场定位、正确的商业模式选择、坚定的信念以及敢为人先的魄力等紧密相关。

2014年，世界上最早的氮化镓充电芯片出现，让公司创始人骆薇薇看到了这个市场的潜力。2015年，适逢半导体领域回国创业风潮，骆薇薇一下子瞄准了第三代半导体产业的发展机遇，便毅然决然回国组建团队。2017年，英诺赛科正式成立。

当时的氮化镓尚无大规模商业化应用，很多企业大多选用6英寸或者4英寸工艺，而骆薇薇却敢为人先，带领着英诺赛科选择8英寸工艺。相较于6英寸硅基氮化镓晶圆，8英寸的晶圆晶粒产出数增加80%，单一器件成本降低30%。

同时，骆薇薇清楚地认识到，如果氮化镓功率电子器件在市场上要进行大规模推广，必须要解决三个痛点。首先是成本，具备合理的价格才能被广泛采用。其次是具备大规模量产能力，以应对市场的爆发。第三，要确保器件供应链稳定，有了稳定的货源供应，客户可以全心全意投入产品和系统的开发，无需担心因氮化镓器件供应战略的变化而导致停产。

因此，英诺赛科建设自主可控的生产线，稳定GaN器件的产能，并全力以赴推广氮化镓功率电子器件。同时，英诺赛科加大力度提升氮化镓功率半导体在多个下游产业的应用渗透率，并巩固在消费电子市场的领导地位，并持续研发更多元化的产品技术，以满足客户多样化的需求。

值得一提的是，众所周知，IDM全产业链模式是半导体产业中耗资最多、难度最大的一种商业模式。然而，英诺赛科一成立便选用了IDM全产业链模式，目标实现从设计、制造到测试的整个过程的自主控制。IDM模式的优势可以实现成本的有效管控，让英诺赛科能够以更具竞争力的价格策略立足市场，形成难以复制的竞争优势。

而上文提到的多项并购重组案例也传递出一个信号，GaN行业的IDM模式将会成为未来趋势。譬如，并购方英飞凌、瑞萨电子都是IDM企业，而代工模式的Power Integrations通过收购IDM Odyssey Semiconductor拥有了氮化镓晶圆厂。

除此之外，当中国企业跑到全球市场厮杀，也难免会受到巨头的围堵。捆绑销售、专利纠纷都是他们的常用竞争手段。例如，此前英飞凌多次指控英诺赛科侵权，试图通过诉讼扰乱市场，阻碍英诺赛科及氮化镓产业的发展。对此英诺赛科也发表声明称，有信心通过法律手段取得最终胜利。

七年磨一剑成为世界第一 拟IPO踏上新征程

一路筚路蓝缕，凭借强大的技术实力和领先的量产能力，2023年英诺赛科终于站在了全球氮化镓产业之巅。

根据招股书信息，截至2023年12月31日，英诺赛科氮化镓分立器件累计出货量超过5亿颗，成为全球氮化镓出货量最大企业，市占率达42.4%。若按收入计，2023年公司在全球氮化镓功率器件半导体市场的份额为33.7%，也位居第一。

目前，公司已经成为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。同时，英诺赛科还拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，截至2023年12月31日，设计产能达到每月10000片晶圆。

随着市场份额的持续扩大，公司收入也实现飙升。招股书显示，2021年、2022年及2023年，英诺赛科实现收入分别是6821.5万元、1.36亿元、5.93亿元，呈现持续倍增态势。

打破技术封锁，英诺赛科带着全球第一的光环，走向了资本市场。

6月12日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司，正式申请赴港上市，开启发展新篇章。本次赴港上市，公司有望获得更强大的资金支持，加速其全球扩张计划、技术研发和产能扩充，进一步巩固行业领先地位，并引领国产氮化镓产业持续突破。（CIS）