近日，日本知名调研机构富士经济发布报告显示，2025年中国企业天岳先进（SICC）在6英寸、8英寸碳化硅衬底市占率双双位居全球首位。其中SICC整体碳化硅衬底市场占有率登顶全球第一，8英寸碳化硅产品全球市占率更是突破50%。这一成绩打破了Wolfspeed多年来在该领域的榜首纪录。

从站稳全球前三，到2024年跃居全球第二，再到2025年全面领跑，天岳先进用三年时间完成了跨越式突破。以中国硬核技术改写了全球碳化硅半导体的产业格局。

全球市占率登顶，SICC实现从跟跑到领跑的关键跨越

碳化硅衬底是第三代半导体核心材料，是新能源汽车、光伏储能、AI算力等高端产业的关键基石之一。衬底制备难度大、成本高，企业的市场份额不仅代表技术实力，也体现一国在关键半导体材料领域的产业话语权。

2023年之前，天岳先进的市场占有率虽连续多年稳居全球前三，但与海外大厂Wolfspeed（美国狼速公司）仍存在较大差距。根据法国Yole报告，2022年Wolfspeed在全球碳化硅衬底市场的市占率高达42%，而天岳先进虽然在细分的半绝缘型碳化硅衬底领域占据约30%市场份额，但在包含导电型衬底在内的整体碳化硅衬底的市占率只有10%—12%，与Wolfspeed差距明显。不过天岳先进在该领域的突破，有效解决了我国关键材料问题。

随着2023年年中临港工厂投产，天岳先进的长期技术积累得以转化为市场话语权。2024年，公司以22.80%的市场份额位居全球第二，紧追Wolfspeed。富士经济报告显示，2025年天岳先进开启了战略进攻阶段，凭借持续攀升的产能与技术优势，以及与博世、英飞凌、安森美等国际大厂的深度合作，在6英寸和8英寸产品上实现市占率全面提升，完成从跟跑到领跑的关键跨越。

技术突破赢得产业机遇，成本下行开启下游应用新局面

陡峭的增长曲线，源自龙头企业前瞻性的技术布局和长期产业深耕。在Wolfspeed时代，碳化硅衬底来源受限，成本极高，无法实现大规模应用。正是以天岳先进为代表的国内衬底材料企业实现规模化突破，推动了我国碳化硅半导体产业的自主创新，为电动汽车、新能源、AI数据中心等下游领域的规模化应用打开了广阔空间。

以新能源车为例，2018年特斯拉率先在主驱逆变器中应用了碳化硅器件，但初期碳化硅成本高、供应端集中在少数几家欧美企业，导致碳化硅技术难以在国产汽车品牌中大规模应用。如今，国产新能源车主驱模块中的碳化硅器件已由“高端选配”加速迈向“主流标配”。

除主驱逆变器外，车载充电机、DC-DC变换器、电池管理系统及辅助电源系统等核心部件均已逐步采用SiC方案，配套全国各地的兆瓦级快充，碳化硅的优势充分显现。叠加国内外碳化硅芯片产业链产能释放，碳化硅渗透进程全面提速。根据国际权威机构Yole报告，全球新能源汽车碳化硅渗透率有望从2022的19.2%，快速提升到2029年47.7%。

碳化硅材料的应用边界还在拓展

当前，除新能源汽车、光储充等赛道外，AI数据中心（AIDC）、固态变压器（SST）、AR眼镜/光学领域、先进封装等新赛道正迎来碳化硅的应用突破，这也是天岳先进等企业锚定这一领域的底气所在。

AI算力的指数级爆发，正倒逼数据中心进行供电架构的革命性升级。800V高压直流（HVDC） 成为行业主流选择，而固态变压器（SST） 作为核心枢纽，为碳化硅技术带来前所未有的市场机遇。AR眼镜/光学领域，半绝缘型SiC衬底凭借高折射率、高透光、高热稳、低色散特性，在AR/VR光学领域实现突破性应用，成为消费电子新增长点。

在先进封装领域，碳化硅的高热导率、高机械强度和良好的电绝缘性，使其成为芯片封装领域的理想材料。在2.5D/3D封装中，碳化硅中介层可替代硅中介层，有效降低芯片运行温度，提升散热性能，同时减少封装尺寸，满足高功耗芯片的散热需求。台积电等企业正在推进碳化硅衬底在CoWoS封装中的应用。

大尺寸时代话语权争夺，SICC站稳8英寸衬底的产业制高点

从产业发展的角度，这一排名背后还有一个突出亮点：SICC在8英寸碳化硅产品上全球市占率突破50%，先发优势显著。

目前全球半导体硅片市场由少数头部企业主导，前五大厂商合计占据约80%—85%的市场份额，中国本土企业在近年来在12英寸硅片领域取得进展，但高端产品领域国产化率仍较低。

虽然全球碳化硅领域主要市场需求和主流竞争仍聚焦于6英寸，但碳化硅行业的格局已被天岳先进成功打破。放眼全球与未来，天岳先进引领大尺寸衬底突破，已让全球碳化硅产业迈入全新发展时代。据统计，目前全球已有超过10条8英寸SiC产线规划落地，德国英飞凌、博世，日本罗姆等企业已经明确了8英寸SiC产线升级的路线图和时间表。

与6英寸晶圆相比，8英寸可增加芯片产量90%，在8英寸晶圆上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，大尺寸将进一步加速碳化硅的大规模应用。8英寸增量市场是未来发展的核心，天岳先进已在不同尺寸产品上均建立起优势，成为行业大尺寸化趋势的最具话语权和实力的引领者。

天岳先进牢牢掌控碳化硅衬底的技术发展路径

天岳先进的领跑，源于其战略和文化的驱动。公司率先定位开展国际竞争，凭借过硬品质获得全球客户高度认可。2025年获得博世颁发的“全球供应商奖”，并且已连续多年斩获博世集团的各类奖项。

在技术创新层面，天岳先进在业内首创使用液相法制备技术，能够制备无宏观缺陷的8 英寸碳化硅衬底。公司最早布局12英寸碳化硅技术，2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，2025年完成导电型、半绝缘型、P型全产品矩阵构建。在底层技术创新层面，公司坚持自主研发与底层突破，掌握涵盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及材料质量表征的全流程核心技术。

2021年，天岳先进凭借半绝缘型碳化硅衬底获评“国家制造业单项冠军”，2025年凭借导电型碳化硅衬底再次获评，成为行业内罕见的“双冠王”。公司碳化硅衬底还亮相“筑基强国路——中国制造‘十四五’成就展”，成为中国宽禁带半导体产业实现历史性跨越的见证。

据悉，天岳先进仍在加大产能建设，巩固行业地位。早在2024年，公司就提出了96万片的产能规划并分步实施，目前正在按计划推进。2025年8月，天岳先进成功登陆港交所，成为A+H两地上市的唯一碳化硅衬底企业，资本实力进一步充实，募集资金将用于国内外项目的产能建设。资本实力的夯实，有力保障了公司战略的落地，助力其在AI数据中心、先进封装、AR光学等碳化硅新兴赛道兴起之际抢得先机。（齐和宁）