12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（下称“英诺赛科”或“公司”，02577.HK）正式启动公开招股，拟全球发售4536.4万股H股，发售价最高将为每股发售股份33.66港元，预期H股将于12月30日上市。

业内人士指出，作为氮化镓功率半导体领域的龙头企业，英诺赛科启动招股是公司发展的重要里程碑，也是中国半导体产业发展的一个亮点。随着公司在港交所主板的成功上市，有望进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。

英诺赛科成立于2017年，总部位于广东珠海，是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业，产品主要包括分立器件、集成电路、晶圆、模组等。截至2023年末，以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率高达42.4%。

公司是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。与6英寸硅基氮化镓晶圆相比，英诺赛科8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术能够使每晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。

产品商业化后，英诺赛科的收入规模快速增长，2021—2023年，公司营业收入分别为6821.5万元、1.36亿元、5.93亿元，复合年增长率高达194.8%。最新数据显示，2024年上半年公司营业收入同比增长25.2%至3.86亿元。

作为IDM企业，英诺赛科实现从设计、制造到测试的整个过程自主控制，这种全产业链模式使得公司能够更加灵活地应对市场变化，快速推出符合市场需求的新产品。目前公司拥有苏州和珠海两个生产基地，截至2024年6月30日，以折算氮化镓分立器件计，公司氮化镓分立器件累计出货量超过8.5亿颗。

此外，公司还积极布局国际研发资源，在欧洲、北美及亚洲建立研发团队，专注于产品设计、研发及可靠性评估。通过与国际知名企业的深度合作，英诺赛科不断拓展氮化镓产品的应用边界，推出了一系列创新产品，如双向氮化镓芯片V-GaN系列等，为行业带来了独特价值。

此次赴港上市，是英诺赛科发展历程中的又一重要里程碑。招股书显示，英诺赛科拟全球发售4536.4万股H股，其中香港发售占约10%，国际发售占约90%，另有约15%超额配股权。发售价最高将为每股发售股份33.66港元，预期H股将于12月30日上市。

通过此次上市，英诺赛科有望借助资本市场的力量，进一步加速其全球扩张计划、技术研发和产能扩充。根据募资计划，英诺赛科拟将60%的募资资金用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，计划从截至2024年6月30日的每月12500片晶圆增加至未来五年的每月70000片晶圆；另外20%的募资资金将用于研发和扩大氮化镓产品组合，进一步提高终端市场中氮化镓产品的渗透率。剩余资金则分别投入约10%用于扩大全球分销网络、营运资金等。

此次IPO招股英诺赛科引入了4名基石投资者，合共认购1亿美元的发售股份，其中意法半导体（STMicroelectronics）通过STHK认购5000万美元，江苏国企混改基金认购2500万美元，东方创联认购1250万美元，苏州高端装备认购1250万美元。

英诺赛科表示，凭借STHK在半导体行业的经验及市场地位以及江苏国企混改基金、苏州高端装备及东方创联的投资经验，基石配售将有助于提升公司的形象，并表明基石投资者对我们的业务及前景充满信心。

随着新能源汽车、风电、光伏等产业的兴起，为氮化镓功率半导体的发展带来了巨大的市场机遇。据弗若斯特沙利文的数据显示，2023年氮化镓功率半导体产业开启了指数级增长的元年，预计市场将迅速增长。到2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将达到人民币501亿元，占全球功率半导体市场的10.1%，并在功率半导体分立器件市场中占据24.9%的份额。

在政策端，国家高度重视第三代半导体产业发展，密集出台多项政策鼓励企业深度布局。2019年11月，工信部将第三代半导体产品写入《重点新材料首批次应用示范指导目录》；2021年3月，“十四五”规划中特别提出第三代半导体要取得发展；2021年8月，工信部将第三代半导体纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划。这一系列政策红利为英诺赛科等第三代半导体企业营造了有利的成长环境。

在市场需求和政策扶持的双重驱动下，英诺赛科等第三代半导体企业迎来了前所未有的发展机遇。上市后，英诺赛科有望借助香港作为国际金融中心的优势，更好地对接国际资本，进一步为后续的海外扩张和国际合作打下坚实基础。