受益于旺季备货需求与存储周期进一步改善，A股Nor Flash存储龙头兆易创新(603986)今年第三季度盈利同比增长约六成。

11月24日，公司高管在第三季度业绩说明会上表示，利基型DRAM市场呈现明显的供不应求现象，初步预计涨价趋势在未来的两个季度有望得以延续，并在明年后续几个季度维持相对较高的价格水平。另外，公司将结合实际经营需求与DRAM核心供应商积极协商，争取得到产能支持。

今年第三季度，兆易创新营业收入同比增长31.4%至26.8亿元，归母净利润同比增长61.1%至5.08亿元，环比增长49%。得益于存储产品涨价的拉动，第三季度单季毛利率环比提升3.7个百分点至40.72%。

据介绍，在主要产品线方面，公司利基型DRAM产品今年一季度末价格回暖，下半年利基型DRAM收入有明显增长，有望超越MCU业务成为公司第二大产品线；Flash同样受益于存储周期的改善，NOR Flash处于温和涨价周期中，SLC NAND产品开始涨价；MCU收入环比持平略增，依然保持了较好的水平；模拟、传感业务等方面，公司与赛芯的整合顺利推进；定制化存储解决方案进展顺利，进入年末，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。

从毛利率水平来看，兆易创新预计今年四季度，在NOR Flash和SLC NAND Flash温和涨价的背景下，这两个品类的毛利率有望小幅提升；利基型DRAM涨价趋势仍在持续，短期来看毛利率有望在当前较好的水平上进一步提升；MCU产品预计毛利率维持相对稳定。

“目前我们对存储周期的看法相较今年上半年更加乐观。”兆易创新高管表示，美国科技巨头推动AI基建，算力增长对存储的需求量进一步显著提升，且科技巨头所宣布的产能需求相较于主要存储厂商实际计划增加的量还要大。在此背景下，预期未来2年利基型DRAM市场仍将处于供应紧张的环境里，价格有望在第四季度进一步上行，并在明年维持相对较好的水平。

展望明年，预计NOR Flash和SLC NAND Flash毛利率温和提升；利基型DRAM毛利率有望维持在相对健康的中枢；MCU毛利率保持平稳。另外，公司将结合实际经营需求与DRAM核心供应商积极协商，争取得到产能上的支持。

兆易创新与长鑫存储的合作关系和产品规划备受关注。

兆易创新高管介绍，多年来，公司共对长鑫科技累计总投资金额23亿元。公司与长鑫科技开展业务合作，长鑫科技的良好发展，为公司利基DRAM产品提供较好的产能支持。公司利基型DRAM产品量价齐升，公司今年新量产的DDR4 8Gb较快抢占份额，进入第三季度销量已经与DDR4 4Gb基本相当。明年公司将实现自研LPDDR4X系列产品的量产，并着手规划LPDDR5X小容量产品的研发。

目前公司布局的标准接口的存储产品包括利基型DRAM（DDR3L 2Gb/4Gb、DDR4 4Gb/8Gb、LPDDR4小容量产品）、NOR Flash、SLC NAND Flash。另外，未来公司将积极把握行业供给格局变化的机遇，在2D NAND领域研发更高存储密度的产品，但公司并无3D NAND或者DDR5产品的相关规划。