光刻胶是集成电路晶圆生产的重要物料，国产替代备受关注。6月20日，在光刻胶领域取得进展的南大光电(300346)获得数十家机构的联合调研。

南大光电在调研记录中称，公司在光刻胶技术研发方面，始终坚持从原材料到产品的完全自主化。光刻胶研发中心具备了研制功能单体、功能树脂、光敏剂等光刻胶材料的能力，能够实现从光刻胶原材料到光刻胶产品及配套材料的全部自主化。

据了解，光刻胶是光刻工艺中的核心材料，由于生产工艺复杂，对纯度要求高，需要长期的研发积累，具有极高的技术壁垒。根据材料智链的统计数据，2022年全球光刻胶行业集中度前四名达到了75%，基本形成了寡头垄断的竞争格局。目前，全球光刻胶市场主要被日本和美国公司垄断，其中日企全球市占率超80%，处于绝对领先地位。尤其是在高端光刻胶领域，这种寡头垄断格局更加显著。因此，我国的光刻胶发展，备受外界关注。

此次机构调研前，即6月18日，南大光电在互动平台表示，公司研发的多款ArF光刻胶，正在国内主要集成电路芯片制造企业进行验证。同时，南大光电还指出，目前通过验证的三款ArF光刻胶，有少量销售，质量稳定。具体量产进度需根据客户订单情况确定。公司正加速推进产品验证和市场拓展工作，争取早日实现量产。

据悉，半导体光刻胶需求结构，ArF和KrF占据主导地位。根据智研咨询的统计数据，2022年全球半导体光刻胶需求结构较为集中，其中ArF和KrF光刻胶需求占比居前，分别为38%和34%。我国光刻胶2022年需求结构与全球基本保持一致，ArF和KrF光刻胶，也是需求最旺盛的两个品种。据材料智链数据，我国的光刻胶国产化率普遍较低，其中，KrF光刻胶和ArF光刻胶的自给率仅1%。

值得一提的是，高端光刻胶的保质期很短，通常只有6个月左右，甚至更短。因此，一旦遇到贸易冲突或自然灾害，势必会对我国集成电路产业造成严重不利影响。因此，尽快实现高端光刻胶材料的全面国产化和产业化，具有十分重要的战略意义和经济价值。

目前，公司三款ArF光刻胶已经通过验证，原材料如何解决？对此，南大光电在调研中表示，光刻胶原材料方面，重要的单体、树脂等由公司自主研发；其他国内具备稳定供应能力的材料，公司通过外部采购，以节约内部技术资源。

除了备受关注的光刻胶，南大光电也是国内半导体领域的前驱体材料重要供应商。年报显示，公司掌握了多种ALD/CVD前驱体材料的合成、纯化、分析检测和封装技术，建成了高纯半导体前驱体的自主生产线和适应半导体品质要求的管理体系，打破了国外技术垄断。

对于前驱体业务，南大光电表示，经过多年的技术研发和产业化，公司前驱体业务已经实现晶圆制造所需的硅前驱体/金属前驱体、高K前驱体/低K前驱体等主要品类的全覆盖，并成功导入国内领先的芯片制造企业量产制程，成为核心前驱体材料领域推进国产自主可控的“主力军”。2023年，公司近10款前驱体产品实现销售，销售额首次破亿，业绩倍增。未来，随着产品品类不断扩充，与关键客户的深度合作，前驱体业务将成为公司重要的业绩增长点。