近日，希荻微(688173)推出两款新产品——HL85103L和HL85105L。这两款高性能单通道低边开关芯片均集成了NMOS功率FET，特别适用于电阻或电感负载，一侧连接到电池的应用场景。

希荻微官微显示，上述两款新品均配备了包括热关断、自动重启、短路保护等高级保护功能，以确保在各种工作条件下都能稳定运行。同时，在无需外部续流二极管的架构基础上，两款产品能够保证其在使用过程中的通用性和效率，从而在多种应用场景的表现更为优异。为适应各种极端环境，以及满足汽车电子对小型化和集成度的要求，HL85103L和HL85105L可在-40°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，同时采用紧凑型的SO-8封装，以提高安装过程中的便捷性和灵活性。

据了解，高低边开关集成功率MOSFET、驱动电路、保护电路（包括过流、短路、过温等）、诊断功能（包括电流电压检测、温度监测、通信接口）等，高集成化特性明显。为了稳定电源和减少EMI，其内部可能还集成了电容，能够为负载提供电路保护的功能。由于高低边开关的集成度更高，因此对芯片制造工艺、封装散热等要求也较高。

值得关注的是，随着电动汽车智能化程度加深带动电器设备的不断增多，采用高集成化的高低边开关，替代传统的保险丝、继电器方案成为趋势。据业内人士估算，目前在传统燃油车上，平均每辆汽车需要40到60个通道的高低边开关，而在新能源汽车上，相关需求将达到80—120个通道。按照国内汽车年产量2800万辆估算，预计2025年国内汽车高低边开关市场规模将达到25亿—35亿元人民币。（文穗）

校对：吕久彪