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华灿光电积极布局GaN电力电子器件领域

2021-12-11 00:30 来源: 证券时报网 作者: 阮润生
证券时报网 阮润生 2021-12-11 00:30

证券时报记者 阮润生

随着新能源汽车、5G通讯、光伏储能等市场发展,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料受到投资热捧。日前在集邦咨询化合物半导体新应用前瞻分析会上,华灿光电(300323)副总裁王江波接受证券时报·e公司记者采访时表示,公司于2020年已进入GaN电力电子器件领域,产品将向快充、数据中心、电动汽车、通信等市场领域拓展。

华灿光电具有十几年GaN基LED外延及芯片研发制造经验,LED芯片产品主要用于超高清显示、高端背光、高光效照明、紫外和红外等市场。”王江波指出,除了现有光电领域,公司也在向功率器件等电子电力器件领域拓展。

2020年,华灿光电非公开发行募资15亿元,其中3亿元将投向“GaN基电力电子器件的研发与制造项目”。王江波表示,电子电力器件与公司深耕的光电领域应用市场有所不同,但材料体系相似,工艺制备方面有一定相通之处,电力电子器件产品工艺更为复杂,线宽控制和设备的要求更高。

目前GaN功率器件市场主要集中在消费电子快充的市场,据预测未来四年渗透率将会达到75%。对此,王江波表示,快充是比较容易进入的市场领域,“虽然现在已经有比较成熟的方案,但是并未固化,华灿也会根据自身优势和积累,探索适合的技术路线。”

另外,GaN材料还可以满足数据中心安全、高效、稳定,同时减少体积、降低成本的需求;在电动汽车功率器件方面,GaN材料比硅基材料的功率密度提升5倍,公示功耗降低3倍,体积更轻巧、更集成;另外,在无人驾驶领域,GaN也可以在雷达的应用方面发挥作用,实现更短的脉冲,达到更高的分辨率、更快的测量、更好的计算。

据介绍,目前华灿光电GaN电力电子器件外延片已达到国内先进水平,芯片相关工艺完成阶段性开发,6英寸硅基GaN电力电子器件工艺已通线,100mm栅宽D-Mode器件静态参数已达国际标准。华灿光电预计2022年推出650V cascode产品,2023年具备批量生产和代工能力。

今年5月份,华灿光电披露实际控制人变更为珠海国资。去年12月,珠海国资旗下华实控股参与认购华灿光电定增,另外,华实控股通过受让原股东股份转让后,合计持股24.87%,成为上市公司第一大股东。10月份,华灿光电披露拟与珠海华发实体产业研究院有限公司设立先进半导体研究院,双方分别出资1.5 亿元。

“华发集团入股对华灿光电可以全方位赋能。”王江波表示,华发集团拥有雄厚的资金,同时也有丰富的上下游资源,包括在家居照明、健康照明、植物照明等领域,华发皆有布局,可以与华灿光电产生联动效应。另外,双方共建的研究院会重点研究未来三到五年的前瞻性技术,以期在先进半导体领域获更快发展。

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