4月17日晚间，中微公司(688012)发布2024年年度报告。报告显示，凭借核心技术突破、研发高强度投入及运营效率优化，中微公司2024年实现营业收入约90.65亿元，同比增长约44.73%，保持了近四年营收年均增幅大于40%；扣除非经常性损益的净利润约13.88亿元，同比增长约16.52%。

从行业情况来看，近年来随着人工智能、云计算、大数据、自动驾驶等数码技术相关的产业进一步加速发展，半导体微观制造设备作为数码产业的基石，其市场高速发展。据国际半导体产业协会（SEMI）数据，全球半导体设备市场规模由2019年的576亿美元提升至2023年的1063亿美元，年均复合增长率达到16.55%。2024年，全球半导体设备市场规模1171亿美元，同比增长10.16%；其中，中国大陆半导体设备市场规模达到496亿美元，同比增长35%，占全球总规模的44%。

据披露，2024年，中微公司营业收入突破90亿元，较2023年增加28.02亿元，在过去13年保持年均超35%的复合增长，近四年年均增速提升至40%以上。其中，刻蚀设备作为核心业务表现尤为亮眼，全年收入约72.77亿元，同比增长约54.73%，近四年年均增速超50%，领跑市场。目前，中微公司的CCP （Capacitively Coupled Plasma，电容耦合等离子体）高能等离子体刻蚀设备和ICP（Inductively Coupled Plasma，电感耦合等离子体）低能等离子体刻蚀设备已覆盖国内95%以上的刻蚀应用需求，并在5纳米及更先进制程的国际领先产线中实现规模量产。

其中，中微公司自主研发的ICP双台机Primo Twin-Star®，其刻蚀精度达到每分钟0.2埃（0.02纳米），相当于硅原子直径的十分之一。该设备在氧化硅、氮化硅等材料的刻蚀工艺中表现卓越，在200片硅片的重复性测试中，在左右两个反应台上各100片的平均刻蚀速度相差均小于每分钟1.5埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别，远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别。同时，公司的CCP双台机目前已有近600个反应台在国际最先进的逻辑产线上量产，有相当一部分机台已在5纳米及更先进的生产线上用于量产。

“工欲善其事，必先利其器。”在研发方面，2024年，公司研发投入达24.5亿元，同比增长94.3%，占营业收入比例约27%。高强度的研发投入推动产品迭代速度显著提升——过去开发一款新设备需3至5年，如今仅需2年甚至更短时间即可完成。

年报显示，目前，中微在研项目涵盖六大类、超20款新设备，包括新一代CCP高能等离子体刻蚀设备、ICP低能等离子体刻蚀设备、晶圆边缘刻蚀设备、LPCVD（低压化学气相沉积）及ALD（原子层沉积）薄膜设备、硅和锗硅外延EPI设备、新一代等离子体源的PECVD设备和电子束量检测设备等。

在泛半导体领域，中微的MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备持续领跑全球市场，占据氮化镓基LED照明设备80%以上份额，并加速拓展碳化硅功率器件、Micro-LED等新兴领域。

中微公司表示，当前全球半导体产业正迎来新一轮发展机遇。人工智能、云计算、自动驾驶等技术的普及，推动芯片制造向更先进制程演进，对刻蚀、薄膜沉积等核心设备的需求持续攀升。据SEMI预测，2025年全球半导体设备市场规模将达1275亿美元，同比增长16%，中国大陆仍是最大市场。公司将借力这一发展潮流，坚持三维发展战略和五个十大的企业文化，抓住市场机遇、扩大市场份额并持续创新。