半导体板块21日盘中发力上扬，截至发稿，乐鑫科技涨超18%创出新高，翱捷科技、全志科技涨超10%，炬芯科技、晶晨股份涨超9%。

消息面上，1月15日晚间，美国商务部工业和安全局（BIS）修订了《出口管理条例》（EAR），修改DRAM先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存储密度由2024年12月的1ynm变为1xnm，同时增加TSV通孔数限制，对HBM和先进DRAM的限制再加码，倒逼产业链国产化加速。

中信证券表示，本次限制针对制造厂商及供应链，设计厂商业务正常开展，看好高端定制存储业务，持续推荐。同时，后续在本土高端封测厂商和设备厂商的配合下，国内DRAM原厂有望突破HBM，布局相关环节的厂商有望核心受益，看好高端存储产业链国产替代。

信达证券指出，制裁升级或将加速国产替代节奏，产业链核心环节在自主可控大趋势下仍具备较大成长空间，建议关注代工：中芯国际、华虹公司等；AI芯片：寒武纪、海光信息等；HBM：通富微电、赛腾股份、华海诚科等；设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、精测电子等；零部件：茂莱光学、福晶科技、富创精密等；材料：鼎龙股份、安集科技、兴森科技等；EDA/IP：华大九天、概伦电子、芯原股份等。

校对：王蔚